UNR211500L（松下半导体，晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式，TO-236-3，SC-59，SOT-23-3）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号: UNR211500L

制造厂家名称: Panasonic Electronic Components（松下半导体）

功能总体简述: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

系列: -

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

电阻器 - 基底（R1）（欧姆）: 10k

电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）: -

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 160 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）: 250mV @ 300μA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）: 500nA

频率 - 跃迁: 80MHz

功率 - 最大值: 200mW

安装类型: 表面贴装

产品封装: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装: 迷你型3-G1

UNR211500L，松下半导体产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：UNR211500L

原始制造厂商：松下半导体（Nuvoton）

技术标准参数：TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

产品应用分类：晶体管（BJT） - 单路﹐预偏压式

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